5月13日消息，据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。
三星电子在声明中称，这种闪存芯片的密度为64GB，配置一个DDR 2.0接口，允许这种芯片最多以每秒400MB的带宽传送数据。这个数据传输速度比目前市场上广泛应用的NAND闪存芯片的速度快10倍。这种新的NAND闪存芯片是采用20纳米级加工技术制造的。
三星称，它预计这种新的芯片将用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑和固态硬盘。
三星量产新型NAND闪存芯片 比现在快10倍
发布日期：2015-11-08 浏览次数：66 上一篇：SIA：9月份全球半导体
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