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MOS管 专业生产 技术支持

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有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-10-30 23:17
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“MOS管 专业生产 技术支持”参数说明

是否有现货: 认证: 齐全
品牌: ON/KX/AO/VBA 类型: 耗尽型MOS管(N沟道)
材料: N-FET硅N沟道 封装外形: SOT-23/SOT89/TO-252/
用途: V-FET/V型槽MOS 导电方式: 耗尽型
型号: 2300/3400/4410 规格: 9410/8205
商标: 日隆 包装: 3000/盘

“MOS管 专业生产 技术支持”详细介绍

1.MOS管工作原理--MOS管简介MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。2.MOS管工作原理--Mos管的结构特点MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

3.MOS管工作原理--MOS管的特性

3.1MOS管的输入、输出特性

对于共源极接法的电路,源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离,所以栅极电流为0。

图(a)为共源极接法的电路,输出特性曲线如右图所示。

当VGS

3.2MOS管的导通特性

MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。下面以NMOS管为例介绍其特性。

MOS管选型手册

KD2300N-ChannelSOT23-3封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、

可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300;Si2300,APM2300,CEM2300,STS2300,AP2300,MT2300,ME2300

KD2302N-ChannelSOT23-3封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A

可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302;APM2302,SSS2302,ME2302,AP2302,STS2302,MT2302

KD2304N-ChannelSOT23-3封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304AN-ChannelSOT23-3封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A

可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304;Si2304,AO3406,NDS355AN,AP2304,APM2306,CES2304

KD2306N-ChannelSOT23-3封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306AN-ChannelSOT23-3封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306

KD2308N-ChannelSOT23-3封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308

KD2310N-ChannelSOT23-3封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310

KD2301P-ChannelSOT23-3封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、

可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301;Si2301,AP2301,CEM2301,APM2301,APM2313,APM2323,CES2301,FDN302,FDN342P,FDN338PKD2303P-ChannelSOT23-3封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、

可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303;Si2303,AO3405,AO3409,FDN360P,FDN358P,FDN352AP,AP2303,APM2307,CES2303

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