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铋锑碲 BiSbTe 粉末 靶材 磁控溅射靶材 镀膜 半导体 热电材料

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有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-12-17 03:45
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“铋锑碲 BiSbTe 粉末 靶材 磁控溅射靶材 镀膜 半导体 热电材料”参数说明

类型: 铋锑碲 型号: 4N
规格: 定制 商标: CNBM
包装: 适合运输包装 产量: 2000

“铋锑碲 BiSbTe 粉末 靶材 磁控溅射靶材 镀膜 半导体 热电材料”详细介绍

BiSbTe也是一种新型的,p型,非常具有发展潜力的半导体热电材料。

产品性能:

成分

Bi,Sb,Te(不同原子比)

纯度

99.99%

密度

>98%,6.8g/cm3

尺寸

50.8mm - 300mm

公差

直径:±0.1mm,厚度:±0.1mm

粗糙度

32RMS

网页当中提供的数据和图片供参考,公司可根据具体客户要求量身定做。

联系人:冉松林
电话:13541048799
QQ:122686839

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